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反激電源設(shè)計(jì)和仿真
反激式電源包括使用變壓器存儲(chǔ)來(lái)自初級(jí)繞組的能量,并將存儲(chǔ)的能量中繼到次級(jí)繞組。這是變壓器在電源設(shè)計(jì)中應(yīng)用的獨(dú)特發(fā)展,因?yàn)樗鼈兺ǔS糜谏龎夯蚪祲骸?/span>
通常,反激電源設(shè)計(jì)包括反激變壓器,MOSFET轉(zhuǎn)換器,該MOSFET轉(zhuǎn)換器通過(guò)PWM控制電流,RCD緩沖器和次級(jí)繞組處的整流二極管。請(qǐng)注意,次級(jí)繞組的極性相反,并且會(huì)導(dǎo)致端子電壓突然反轉(zhuǎn)。反激式電源的工作可以分為FET的“開(kāi)和關(guān)”周期。
在“接通”周期中,流過(guò)初級(jí)繞組的電流增加到最大。在此周期中,磁能存儲(chǔ)在反激變壓器的磁芯中。此時(shí),連接到次級(jí)繞組的二極管處于反向偏置狀態(tài),從而阻止了電流的流動(dòng)。
當(dāng)FET在下一個(gè)周期“關(guān)閉”時(shí),初級(jí)繞組上的電流停止流動(dòng)。由于繞組處的電感泄漏,電流的突然中斷會(huì)導(dǎo)致巨大的電壓尖峰。為了防止FET受到?jīng)_擊,RCD緩沖電路用于吸收過(guò)多的能量。同時(shí),次級(jí)二極管現(xiàn)在正向偏置,電流流動(dòng)以對(duì)輸出電容器充電。
反激電源的連續(xù)模式和非連續(xù)模式
有兩種模式可操作反激電源,每種模式具有非常不同的結(jié)果。第一種模式稱(chēng)為連續(xù)模式,在這種模式下,存儲(chǔ)在變壓器中的能量在兩次循環(huán)之間不會(huì)完全消耗掉。同時(shí),不連續(xù)模式可確保所有磁能都轉(zhuǎn)移到次級(jí)繞組,并具有“無(wú)聲隙”的特征,其中在下一個(gè)正周期開(kāi)始之前沒(méi)有電流流過(guò)。
對(duì)于反激電源操作的每種模式,仿真都是可用的,而且值得。使用SPICE工具,您可以確保滿(mǎn)足適當(dāng)?shù)碾妷汉碗娏餍枨螅瑫r(shí)還可以確保充分準(zhǔn)備好設(shè)備和組件的容差以應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)的需求。此外,通過(guò)頻域測(cè)試,您可以放心電源的穩(wěn)定狀態(tài)。
反激模型用于開(kāi)關(guān)模式電源
與不連續(xù)模式相比,連續(xù)模式具有相對(duì)較低的峰值電流。這導(dǎo)致較低的電感損耗和同樣較低的輸出電壓紋波。但是,反激式電源的操作容易受到右半平面零(RHPZ)的影響,這實(shí)際上限制了操作帶寬。
當(dāng)負(fù)載電流增加時(shí),RHPZ的影響就很明顯。通常會(huì)導(dǎo)致較高的峰值電流,但二極管的導(dǎo)通時(shí)間較短。這導(dǎo)致滯后,使得反饋控制電路更難以實(shí)現(xiàn)。
比較而言,不連續(xù)模式不會(huì)遇到相同的問(wèn)題。它還效率更高,開(kāi)關(guān)損耗更低。
優(yōu)化反激電源設(shè)計(jì)
反激電源的電路圖看似簡(jiǎn)單,但并非如此。應(yīng)優(yōu)先考慮反激式變壓器,因?yàn)樵O(shè)計(jì)中的失誤會(huì)導(dǎo)致效率和EMI問(wèn)題。
正確設(shè)計(jì)反激變壓器至關(guān)重要
設(shè)計(jì)人員的第一步就是正確設(shè)置繞組比率。這樣可以確保變壓器以估計(jì)的效率提供所需的次級(jí)電壓。確定一次繞組的最小匝數(shù)以防止飽和也很重要。
變壓器設(shè)計(jì)陷入困境的問(wèn)題是電感泄漏。盡管?chē)L試通過(guò)交錯(cuò)繞組來(lái)減少泄漏,但是仍然有極少量的電荷在FET關(guān)斷時(shí)導(dǎo)致突然的高電壓。通過(guò)在初級(jí)繞組上添加一個(gè)緩沖電路來(lái)解決此問(wèn)題。
當(dāng)然,除了布局配置之外,您可以為電源做的最多的事情就是事先進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆抡?。確定足夠的電壓和電流需求,確保電源完整性