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碳化硅SiC正在改變太陽能產業(yè)


2013年,Lux Research(盧克斯研究所)發(fā)布了一份報告,估計太陽能逆變器分立器件市場將在2020年猛增至14億美元。隨著對可再生能源的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的興趣日益濃厚,這一估計如何獲得成功應用,特別是太陽能。

碳化硅在太陽能中的作用是什么

太陽能發(fā)電設備所產生的電能要與電網(wǎng)進行組網(wǎng),逆變器是太陽能電池板與電網(wǎng)的關鍵中心。而碳化硅(SiC)是逆變器的核心元件。高性能的碳化硅將使逆變器和轉換器的使用壽命更長,工作效率更高,且降低成本。美國人非常重視碳化硅在逆變器中的應用,且其政府專門成立了一個研究所用于研究碳化硅。

逆變器將太陽能轉化為交流電

碳化硅在太陽能行業(yè)的應用

許多制造商正在利用碳化硅來設計制造與太陽能應用兼容的設備。比較新的一種是安森美半導體(ON Semiconductor),該公司提供各種可處理900 V1200 V的碳化硅 MOSFET。特別是,這兩個新設備可以分別處理118 A103A。MOSFET示意圖


英飛凌發(fā)布了新的低溫碳化硅MOSFET,DSon)至107mΩ650 V設備已在電信,工業(yè),電動汽車和太陽能應用等領域證明了其實用性。UnitedSiC是另一家以碳化硅器件而聞名的公司,該公司提供UF3C系列的650 V和1200 V 碳化硅 FET,與英飛凌的650 V 低溫碳化硅 MOSFET一樣,其R DS(on)低至27mΩ 。這是一個重要的屬性,因為它表示設備導通時,其漏極和源極之間存在的電阻量。荷蘭有一家太陽能車隊應用了UnitedSiC公司的碳化硅MOSFET參加了澳大利亞3000公里比賽。 

UF3C065030B3示意圖

由于功率等于I 2 R,并且這些單元可以承載85 A的電流,這意味著即使在0.027Ω的情況下,這些單元也可以提供200 W的功率。 對于太陽能逆變器,降低發(fā)熱量至關重要!因此,低RR DS(on是影響逆變器壽命的重要因素。

太陽能采集系統(tǒng)

日本滋賀大學研究人員進行了一項研究,為移動設備創(chuàng)建光伏發(fā)電系統(tǒng),在200瓦以下的應用中評估了碳化硅器件的有效性。研究人員采用了大功率的電路設計,該電路根據(jù)太陽的強度和可用能量不斷調整負載條件。

光伏逆變器系統(tǒng)示意圖和電池組

使用ROHM Semiconductor的四個SCT3060AL 碳化硅 FET,該器件的逆變器能夠以200 kHz的頻率進行開關,從而使體積和重量減少了35%。研究人員得出的結論是:基于碳化硅的逆變器表現(xiàn)出的峰值直流DC-AC轉換效率高于傳統(tǒng)的Si逆變器。

本文來自:互聯(lián)網(wǎng)

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