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使用內(nèi)核耦合內(nèi)存將STM32微控制器的速度提高
當(dāng)處理具有計算密集型例程和（或）接近實時性能要求的項目時，擁有“閃電般的” RAM通常對于開發(fā)人員而言是一件好事。這是STMicro在其STM32微控制器系列中包含大量內(nèi)核耦合內(nèi)存（CCM）RAM的原因之一。
核心耦合內(nèi)存（CCM）具有高性能和零等待狀態(tài)，允許在從閃存中運行固件所需時間的一小部分時間內(nèi)執(zhí)行指令。根據(jù)意法半導(dǎo)體， 它被包含在微控制器中，用于涉及“實時和計算密集型例程[包括]數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制回路（開關(guān)模式電源，照明），面向現(xiàn)場的三相電動機(jī)控制，[和]實時DSP（數(shù)字信號處理）”。
對于開發(fā)人員如何使用CCM的演示，開發(fā)人員使用了STM32F303CC開發(fā)板，它具有256kB的閃存，40kB的靜態(tài)RAM（SRAM）和8kB的核心耦合內(nèi)存（CCM）RAM。對于固件，他采用了LZ4壓縮算法作為基準(zhǔn)，并采用了允許在閃存SRAM和CCM RAM上執(zhí)行的自定義CMake。在閃存，SRAM和CCM上以不同的時鐘速度執(zhí)行LZ4壓縮算法。在默認(rèn)的板時鐘速度為72MHz且塊大小為8k的情況下，從閃存執(zhí)行LZ4算法的時間為279到304毫秒。移至SRAM可使運行時間進(jìn)一步縮短至251ms，但切換至CCM則將其進(jìn)一步降低至172ms。為了進(jìn)一步測試這些限制，工程師對設(shè)備進(jìn)行了超頻，使其時鐘速度為128MHz，并再次測試了所有三個存儲器的性能。在新的時鐘速度下，塊大小與以前相同，在CCM上為97ms。