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行業(yè)資訊

圓晶代工生產(chǎn):三星手機PK臺積電,誰的贏面大?


  臺積電近期多事之秋,于2018年6月進行高管交接,也各自在2018年8月產(chǎn)生計算機病毒感柒惡性事件,和2019年1月暴發(fā)圓晶品質缺陷惡性事件,但多虧30以來,焊錫產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)扎穩(wěn)打,穩(wěn)打穩(wěn)扎,確保優(yōu)秀焊錫一路領先。

  2019年4月24日,三星公司發(fā)布了將來的融資計劃和總體目標,方案在將來12年之內(2019年至2030年)項目投資約1200億美金提升系統(tǒng)軟件LSI和圓晶代工生產(chǎn)業(yè)務流程層面的競爭能力;并借助廉價搶到NVIDIA下代GPU訂單信息,完全力挑臺積電。 但目前遭受日本國原料禁運,抹到了一層層黑影。
  文中從發(fā)展史、生產(chǎn)地、優(yōu)秀焊錫、封裝合理布局等層面來整理三星手機挑戰(zhàn)臺積電的贏面。
 
  一、發(fā)展史
 
  1、臺積電
  1987年2月21日創(chuàng)立,臺積電宣布創(chuàng)立,開辟純圓晶代工生產(chǎn)新方式;1988年企業(yè)營業(yè)額超出臺幣10億;1991年企業(yè)實現(xiàn)提高效益臺幣5億,自此無1年虧本;1993年營業(yè)額超出臺幣100億;1994年9月在中國臺灣發(fā)售,當初營業(yè)額達臺幣193億(約6億美金);1995年營業(yè)額超出10億美金;1998年營業(yè)額超出臺幣500億;2000年營業(yè)額初次超出1000億臺幣(臺幣1660億);2008年營業(yè)額超出100億美金(臺幣3330億);2012年營業(yè)額初次超出臺幣5000億;2018年營業(yè)額初次超出臺幣10000億。2017年和2018年的市場份額為56%。
  做為技術專業(yè)集成電路芯片生產(chǎn)制造第三產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)始者與管理者,臺積電潛心為全世界Fabless企業(yè)、IDM企業(yè)和系統(tǒng)集成公司出示圓晶生產(chǎn)制造服務項目。自開創(chuàng)剛開始,臺積電即不斷出示顧客最優(yōu)秀的技術性及臺積電TSMC COMPATIBLE設計構思服務項目,在出示優(yōu)秀的圓晶生產(chǎn)工藝與最好的生產(chǎn)制造高效率上已創(chuàng)建了優(yōu)良的信譽。
臺積電在有著優(yōu)秀技術性后,將其轉化成生產(chǎn)制造優(yōu)點,主要包括合格率、可信性、按時供貨性、充裕的生產(chǎn)能力以應對客戶滿意度和生產(chǎn)制造周期時間等。技術性與生產(chǎn)制造上的優(yōu)點,轉化成與顧客的長期性信賴關聯(lián)。
 
  2、三星公司
 
  2005年,三星公司剛開始進到12英尺邏輯性加工工藝圓晶代工生產(chǎn)行業(yè),2017年5月12日,三星公司公布調節(jié)企業(yè)各個部門,將圓晶代工生產(chǎn)各個部門從系統(tǒng)軟件LSI各個部門中單獨出去,創(chuàng)立三星公司圓晶代工生產(chǎn),關鍵承擔為全世界顧客生產(chǎn)制造非存儲芯片,進而與以臺積電為先的純圓晶代工生產(chǎn)企業(yè)市場競爭。
 
  從2005年到2009年,三星公司的時代工營業(yè)額不夠4億美金。到2010年啃上iPhone(Appple),剛開始代工生產(chǎn)iPhoneA系列產(chǎn)品Cpu(包含A4、A5、A6、A7),代工生產(chǎn)主營業(yè)務收入出現(xiàn)爆長,2010年總體代工生產(chǎn)收益猛增至12億美金(在其中      iPhoneA系列產(chǎn)品Cpu商品代工生產(chǎn)收益達8億美金)。因為iPhone等移動智能終端商品交貨猛增,三星公司的圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額節(jié)節(jié)攀升,到2013年超過39.5億美金,當初iPhone的代工生產(chǎn)收益占據(jù)企業(yè)代工生產(chǎn)全年收入的86%。能夠說2010年至   
   2013年三星公司的代工生產(chǎn)營業(yè)額徹底是靠iPhone在支撐點。
  因為20納米技術加工工藝焊錫合格率沒法攻克等多方面的緣故,2014年三星公司喪失iPhoneA系列產(chǎn)品Cpu訂單信息,iPhoneA8Cpu所有交給臺積電(TSMC)代工生產(chǎn);2015年總算搶得A9Cpu一部分訂單信息,但因為合格率和功率操縱比不上臺積電,造成2016年的A10Cpu又所有由臺積電包圓。因為喪失iPhone這一客戶,造成2014年和2015年圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額出現(xiàn)下降。
以便彌補生產(chǎn)能力,三星公司代工生產(chǎn)單位積極主動進攻,搶到高通驍龍(Qualcomm)運用Cpu和網(wǎng)絡服務器集成ic、超微半導體材料(AMD)的微控制器集成ic、英特爾顯卡(Nvidia)的圖像處理集成ic、安霸(Ambarella)的視覺解決集成ic、特斯拉汽車(Tesla)的自駕游系統(tǒng)軟件集成ic的訂單信息,足以填補iPhone逃單的困境。2016年營業(yè)額超過44億美金,超出2013年的水準,創(chuàng)出三星公司圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額的新記錄。
 
  依據(jù)市場研究公司IC Insights的資料顯示,三星公司2017年圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額達46億美金,在全世界圓晶代工生產(chǎn)銷售市場以6%的市場占有率排行最后,前三各自是臺積電(TSMC)的56%,格芯半導體材料(GlobalFoundries)的9%,連電(UMC)的8.5%;2018年圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額達100億美金,市場占有率達14%,排行全世界其次。
  2018年三星公司排行全世界其次大圓晶代工生產(chǎn)企業(yè),并不是銷售業(yè)績暴增,實乃分拆單位造成。緣故是圓晶代工生產(chǎn)單位改名換姓,已不歸屬于系統(tǒng)軟件LSI業(yè)務流程。因此如今包含Cpu集成ic(Exynos等)、CIS圖像傳感器、顯示驅動集成ic、電源管理芯片的生產(chǎn)制造收益都算為圓晶代工生產(chǎn)單位營業(yè)額,因而營業(yè)額一路上上漲,市場占有率一夕飆高。
 
  二、生產(chǎn)地
 
  1、臺積電
  現(xiàn)階段在中國臺灣有著三座12英尺超大型晶圓廠、兩座8英尺晶圓廠和一幢6英尺晶圓廠,在中國內地有一幢12英尺晶圓廠和一幢8英尺晶圓廠,在國外有著一幢8英尺晶圓廠。坐落于中國臺灣的第四座12英尺超大型晶圓廠FAB18的第一期也于2019年圓滿建成投產(chǎn)。
  2018年出示261種不一樣的焊錫技術性,為481個顧客生產(chǎn)制造10436種不一樣商品,圓晶銷售量達1080萬片12英尺約當圓晶量。
  2019年,臺積電預估出示約1200萬片的12英尺約當圓晶的年生產(chǎn)能力,在其中7納米技術生產(chǎn)能力約100萬片12英尺圓晶。
  3nm加工廠也在方案基本建設中。
 
  2、三星公司
 
  到2019年末,三星公司圓晶代工生產(chǎn)專享線將升至7條,包含6條12英尺和3條8英尺。
  現(xiàn)階段,三星公司代工生產(chǎn)業(yè)務流程能夠出示包含65納米技術、45納米技術、32/28納米技術HKMG、14納米技術FinFET、10納米技術FinFET、7納米技術FinFET EUV加工工藝,顧客包含iPhone、高通驍龍、超微半導體材料、賽靈思、英特爾顯卡、恩智浦(NXP)及其日本當?shù)仄髽I(yè)Telechips等。
  日本器興(Kiheung)的S1,完工于2005年,是三星手機第一條12英尺邏輯性代工生產(chǎn)生產(chǎn)流水線,現(xiàn)階段燒錄65納米技術至8納米技術功耗集成ic,商品適用于計算機網(wǎng)、智能機、小車、及其日漸成才的物聯(lián)網(wǎng)技術銷售市場等。
  英國奧斯?。ˋustin)的S2是由原8英尺廠更新改造而成;2010年8月剛開始凈化室基本建設,2011年4月剛開始12英尺邏輯性商品建成投產(chǎn),當初達產(chǎn)43000片;現(xiàn)階段燒錄65納米技術至14納米技術商品。2010年開設產(chǎn)品研發(fā)管理中心,致力于為系    統(tǒng)軟件LSI單位開發(fā)設計性能、功耗、繁雜的CPU和系統(tǒng)軟件IP構架和設計構思。
  日本華城(Hwasung)的S3,是2018年投建的12英尺邏輯性生產(chǎn)流水線,現(xiàn)階段關鍵生產(chǎn)制造10納米技術至8納米技術商品,將是三星手機7納米技術商品的主力吸籌生產(chǎn)廠家。
  日本華城的S4,是原DRAM用產(chǎn)線FAB11開展更新改造,現(xiàn)階段CMOS影象控制器(CIS)專用型生產(chǎn)流水線。坐落于華城的12英尺DRAM產(chǎn)線FAB13也已經(jīng)抓緊更新改造為CMOS影象控制器專用型生產(chǎn)流水線。
  日本華城的EUV專用型產(chǎn)線自2018年2月開工建設至今,已經(jīng)抓緊基本建設。加工廠將項目投資60億美金,將于2019年第三季度進行基本建設、2020年宣布建成投產(chǎn)。前期以7納米技術商品主導,因時制宜EUV光刻技術。
  日本器興的8英尺圓晶代工生產(chǎn)線新FAB6于2016年對外開放,包含原先的FAB6、FAB7、FAB8等3個廠,包含從180納米技術到70納米技術加工工藝連接點,目前生產(chǎn)能力貼近25萬片,焊錫技術性包含內嵌式快閃記憶體(eFlash)、輸出功率元器件、  影象感測器CIS,及其高工作電壓焊錫的生產(chǎn)制造,關鍵對于日本當?shù)氐腇abless。
 
  三、焊錫
 
  1、臺積電
 
  自1987年創(chuàng)立至今,臺積電始終堅持不懈“創(chuàng)建內部產(chǎn)品研發(fā)”發(fā)展戰(zhàn)略,為企業(yè)產(chǎn)生了更顯的核心競爭力。臺積電根據(jù)從中國臺灣工業(yè)生產(chǎn)技術性研究所遷移3.5μm和2μm技術性創(chuàng)立企業(yè),一起為東芝訂制了3.0μm技術性。只是1年以后,臺積電于1988年取得成功開發(fā)設計了自身的1.5μm技術性。接著開展了一連串不斷的取得成功開發(fā)設計,包含1.2μm,1.0μm,0.8μm,0.6μm,0.5μm,0.3μm和0.25μm加工工藝。
  1999年,臺積電公布了全世界第一位0.18μm功耗生產(chǎn)工藝。從那以后,臺積電推動制造行業(yè)持續(xù)變小的圖形界限技術性,從0.13μm,到90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、16/12nm、10nm、7nm,再到2019年的5nm加工工藝。
  2018年臺積電營業(yè)額超出臺幣10000億,在其中優(yōu)秀焊錫技術性(28納米技術及下列更優(yōu)秀焊錫)的營業(yè)額占總體營業(yè)額的63%,而7納米技術的的營業(yè)額占總體營業(yè)額也是超出20%,變成首位大營收來源于。
  那麼人們討論一下臺積電在10納米技術下列加工工藝的合理布局狀況。
  N7:2017年4月7nm剛開始風險性生產(chǎn)制造,2018年燒錄,第③季剛開始奉獻營業(yè)額,在2018年有40好幾個顧客商品流片,預估2019年還將有100好幾個新品流片。與10nm FinFET加工工藝對比,7nm FinFET具備1.6倍邏輯性相對密度,約20%的速率提高和約40%%的功率減少。有2個加工工藝焊錫能選,一要對于AP,二是對于HPC(超高功能計算運用)。
  N7+:2018年8月進到風險性生產(chǎn)制造環(huán)節(jié),2019年第③季剛開始燒錄,是臺積電第一位應用EUV光刻解決方法的半導體材料生產(chǎn)工藝。
  N6:為加強7nm技術性,提高效率/成本費優(yōu)點且加快商品發(fā)售時間,2019年4月發(fā)布的6nm焊錫技術性,選用EUV光刻解決方法,預估將在2020年第一季風險性試生產(chǎn),第③季保持燒錄。據(jù)了解N6加工工藝比N7加工工藝出示高于18%的邏輯性相對密度,設計構思標準與N7徹底適配,使其全方位的設計構思生態(tài)體系足以多次重復使用。
  N5:5nm技術性于2019年3月進到風險性生產(chǎn)制造環(huán)節(jié),預估2020年第2季拉升生產(chǎn)能力并進到燒錄。主力吸籌生產(chǎn)制造加工廠是Fab 18。與7納米技術焊錫相比,5nm集成ic相對密度提升80%,在相同與運算效率下可減少15%功率,在相同功率下可提高30%與運算效率。
  N5P:N5P(5nm+)預估2020年第一季剛開始試生產(chǎn),2021年進到燒錄。與5nm焊錫相比在相同功率下可再提高7%與運算效率,或在相同與運算效率下可再減少15%功率。
3nm:現(xiàn)階段沒有大量3nm的技術性信息內容,可是3納米技術加工廠的項目投資案早已公布,方案項目投資超出臺幣6000億元在新竹合肥廬陽區(qū)修建,預估2020年開工,2022年末燒錄。
2nm:2019年每下二季公布全面啟動2nm加工工藝的產(chǎn)品研發(fā),未來工廠將設定在坐落于新竹中國南方科技園區(qū)。
 
  2、三星公司
  2005年三星公司進到圓晶代工業(yè)生產(chǎn);2006年首例顧客簽訂65納米技術;2009年45納米技術加工工藝剛開始接單子,同一年11月在半導體材料研究室創(chuàng)立邏輯性加工工藝開發(fā)設計精英團隊,以加強圓晶代工生產(chǎn)業(yè)務流程;2010年1月首例發(fā)布32納米技術HKMG加工工藝;2014年發(fā)布第1代14納米技術FinFET加工工藝;2016年10月17日,第1代10納米技術FinFET加工工藝燒錄。
  那麼人們討論一下三星公司在10納米技術下列加工工藝的合理布局狀況。
  8LPP:8LPP在生產(chǎn)工藝流程變換為EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技術以前,具備較大的核心競爭力。融合三星手機10nm技術性的重要生產(chǎn)流程自主創(chuàng)新,與10LPP對比,8LPP在特性和門電路相對密度層面出示了附加的優(yōu)點。2018年11月取得成    功燒錄Exynos 9系列產(chǎn)品(9820)。
  7LPP:7LPP將是第一位應用EUV光刻解決方法的半導體材料生產(chǎn)工藝。這兒要注重二點,一要根據(jù)和ASML的協(xié)作,開發(fā)設計出了250W較大的EUV源輸出功率,它是EUV進到到很多生產(chǎn)制造中的最關鍵的里程碑式,EUV光刻技術的布署將擺脫摩爾定律拓展的阻礙,為單一化的納米技術半導體技術的發(fā)展趨勢攤平了路面;二是重要IP將于2019年上半年度進行產(chǎn)品研發(fā),第三季度將開展建成投產(chǎn)。
  5LPE:5LPE將選用三星手機與眾不同的智能化放大(Smart Scaling)解決方法,將其列入應用場景EUV的7LPP技術性之中,可保持更大規(guī)模拓展和超功耗優(yōu)點。
 4LPE/LPP:4LPE/LPP是三星公司最后運用高寬比成熟期和制造行業(yè)認證的FinFET技術性,融合先前5LPE加工工藝的成熟技術,集成ic總面積更小,特性更高,能夠迅速超過高良率燒錄,也便捷顧客升級。
  3LPP:3LPP將初次應用全新升級的MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET,多中繼安全通道場效應晶體管)構造,應用場景GAAFET(Gate All Around FET,旋轉柵極場效應晶體管)技術性。GAAFET必須再次設計構思三極管最底層構造,擺脫當    今技術性的物理學、特性極限,提高柵極操縱,特性大大的提高。預估2020年資金投入危害性試生產(chǎn)。
 
  四、封裝合理布局
 
  1、臺積電
 
  2008年剛開始優(yōu)秀封裝合理布局。最先創(chuàng)立集成化互聯(lián)與封裝技術性融合單位,2009年剛開始戰(zhàn)略部署三維立體集成電路芯片(3D IC)系統(tǒng)軟件融合服務平臺。
  現(xiàn)階段,臺積電優(yōu)秀封裝技術性WLSI(Wafer-Level-System-Integration)服務平臺包含具有的CoWoS封裝、InFO封裝,及其對于PM-IC等較中低端集成ic的扇入型圓晶級封裝(Fan-In WLP),還將于2021年發(fā)布系統(tǒng)軟件級融合集成ic(SoIC,System-on-integrated-chips)等封裝技術性,陣容更為整齊、頑強。
  CoWoS于2011年開發(fā)設計取得成功,張忠謀在第③季法說大會上揚言,臺積電要涉足封裝行業(yè)。這一舉動震撼人心半導體材料業(yè)內,非常是封裝業(yè);到2013年燒錄時,只能程控邏輯門櫥窗陳列經(jīng)銷商賽靈思(Xilinx)一間的28納米技術商品燒錄。前      CoWoS早已得到NVIDIA、AMD、Google、XilinX、海思芯片等高檔HPC集成ic訂單信息。
  InFO技術性于2016 年11月首次用以iPhone 7的A10Cpu。InFO技術性取得成功運用于追求完美性價比高的移動通信銷售市場,AP商品是其關鍵顧客。
  SoIC深植于CoWoS與WoW(多晶圓層疊,Wafer-on-Wafer)技術性,SoIC非常仰仗于CoW(Chip-on-wafer)設計構思,這針對集成ic從業(yè)者而言,選用的IP都早已驗證過一場,生產(chǎn)制造上能夠更成熟期,合格率還可以提高,還可以導進存儲芯片集成ic運用。更關鍵的是,SoIC能對10納米技術或下列的焊錫開展圓晶級的鍵合技術性,這將有利于臺積電加強優(yōu)秀加工工藝焊錫的競爭能力。WoW技術性穿透硅埋孔(TSV,Through-silicon Vias)互聯(lián)聯(lián)接的10μm孔相互觸碰,將雙層邏輯運算模塊以立體式方法層疊一起,構架出髙速、低延遲時間互聯(lián)特性。盡管TSV互聯(lián)早已應用在DRAM 及3D NAND 等存儲芯片的生產(chǎn)工藝上,可是用在邏輯運算模塊的燒錄上,卻還是初次。
 
  2、三星公司
 
  現(xiàn)階段,三星公司已經(jīng)全力以赴促進FOPLP(控制面板級扇出型封裝,F(xiàn)an-Out Panel Level Packaging)技術性,已燒錄了FOPLP-PoP與I-Cube 2.5D優(yōu)秀封裝技術性,期待可與臺積電的InFO、CoWoS封裝伯仲之間。
  I-Cube 2.5D:現(xiàn)階段早已燒錄,能夠保持4路HBM 2顯卡內存堆棧。2020年則會發(fā)布3D SiP系統(tǒng)軟件級封裝,適用人工智能技術(AI)、超高功能計算(HPC)、互聯(lián)網(wǎng)和GFX,三星公司寄期待I-Cube 2.5D能和臺積電CoWoS封裝焊錫相匹敵。
  FOPLP-PoP:對于移動智能終端用運用Cpu,稱為是匹敵臺積電InFO的封裝焊錫。2018年10月宣布生產(chǎn)制造Galaxy Watch運用Cpu(AP)集成ic。但現(xiàn)階段來看,規(guī)模性燒錄還是不成熟期。
 
  五、結束語
  試煉場上拼爹是不足的,還是得憑整體實力說話。如同臺積電(TSMC)憑著頂尖生產(chǎn)工藝(Technology)、貼心服務(Service)、生產(chǎn)制造工作能力(Manufacture),與顧客(Customers)創(chuàng)建牢靠的合作關系,平穩(wěn)地造就了強勁有力的成才。

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